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wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

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wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

2inch 4Inch Gallium Nitride GaN AlN Template Wafer On Sapphire,Si Substrates
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Grande immagine :  wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: 4inch AlN

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 2pc
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singola cassa del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 2-quattro settimane
Termini di pagamento: L / C, T / T
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: AlN sul wafer Metodo: HVPE
Dimensione: 4inch Spessore: 430+15um o 650um
Industria: LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore, Superficie: lato doppio o singolo lucidato
Evidenziare:

gan substrate

,

gan template

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  1. III-nitruro (GaN, AlN, locanda)

Copertura severa di larghezza di banda (luminescente ed assorbimento) l'ultravioletto, la luce visibile e l'infrarosso.

Prodotto  Film del nitruro di alluminio (AlN)
Descrizione di prodotto: AllN Epitxial ha proposto il metodo di modello di (HVPE) di epitassia di fase di vapore dell'idruro del saphhire. Il film del nitruro di alluminio è inoltre modo redditizio sostituire il substrato del monocristallo del nitruro di alluminio. Del ramo del cristallo benvenuto francamente la vostra indagine!
Parametri tecnici:
Dimensione ± 2mm di 50mm
Orientamento del substrato dello zaffiro ± 1.0deg di c-asse (0001)
Macro densità di difetto <5cm-2>
Area disponibile 90%
Trattamento di superficie prima Come sviluppato Epi-pronto
Contenitore Singolo chip

 

Specifiche:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 «x1mm;

Può essere personalizzato secondo l'orientamento e la dimensione speciali della domanda di cliente.

Imballaggio di norma: borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola
 

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GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
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Specifiche:

  4" modelli di AlN di dimensione 2-4inch approvazione anche
Oggetto AlN-T
Dimensioni Ф 100±0.3mm
Substrato Zaffiro, sic, GaN
Spessore 1000nm+/- 10% (spessore di AlN)
Orientamento ± 1° di C-asse (0001)
Tipo di conduzione Semi-isolamento
Densità di dislocazione XRD FWHM di (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM di (10-12) < 1000="" arcsec="">
Area utilizzabile > 80%
Polacco Norma: SSP
Opzione: DSP
Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto. o singole cassette.

Altro gradua 5x5mm secondo la misura aslike, 10x10mm, 2inch, 3inch anche può essere personalizzato. 

 

Circa il nostro gruppo

    ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina,

e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014, ma nel materiale a semiconduttore,

abbia la buona esperienza per quasi 10years.
   Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati ed il vetro ottico custiomized parts.components ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S.
     È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dai nostri buoni reputatiaons.


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Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Wang

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