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GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED
  • GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED
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GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED

Luogo di origine La Cina
Marca ZMSH
Certificazione rohs
Numero di modello GaN-SU-silicio 6/8/12INCH
Dettagli del prodotto
Purezza:
990,9%
Applicazione:
leghe a bassa temperatura
- No, niente.:
247-129-0
Norma di grado:
Grado industriale
MF:
GaN
Numero CAS.:
25617-97-4
Evidenziare: 

Wafer industriale di Epi di si del grado

,

GaN Si Epi Wafer

,

Substrati del nitruro di alluminio di potere rf

Descrizione di prodotto

8inch 12inch 6inch GAN-ON-SI EPI-WAFERS per l'applicazione di LED RF POWER

 

Wafer epitaxial GaN (GaN EPI sul silicio)
Il nitruro di gallio (GaN) è stato ampiamente utilizzato nei dispositivi di alimentazione e nei diodi emettitori di luce blu a causa del suo ampio gap energetico.


Introduzione
Per rispondere a tali esigenze, la Commissione ha adottato un programma di ricerca e di sviluppo (PIC) per l'Europa centrale e orientale.Abbiamo sviluppato un substrato semiconduttore a banda larga con nitruro di gallio (GaN) come materiale semiconduttore di prossima generazione.
Concetto: coltivando pellicole sottili di GaN monocristallino su substrati di silicio, possiamo produrre substrati semiconduttori di grandi dimensioni e a basso costo per dispositivi di nuova generazione

.
Obiettivo: per gli elettrodomestici: interruttori e inverter con tensioni di rottura nelle centinaia; per le stazioni base di telefonia mobile: transistor ad alta potenza e ad alta frequenza.
Vantaggi: i nostri substrati di silicio sono più economici da coltivare GaN rispetto ad altri substrati di carburo di silicio o zaffiro e possiamo fornire dispositivi GaN su misura per le esigenze del cliente.


Glossario
intervallo di banda larga
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)Materiale a banda larga con buona trasparenza ottica e elevata tensione di rottura elettrica


Heteroconnessione
In generale, nel campo dei semiconduttori, sono impilati film relativamente sottili di materiali semiconduttori di diversa composizione.Nel caso di cristalli mistiA causa di queste interfacce, viene creato uno strato di gas elettronico bidimensionale con elevata mobilità elettronica.

 

Specificativi per gli Epi-wafer a LED blu GaN-on-Si
ZMSH Semiconductor si è impegnata a produrre Wafer epi GaN LED su substrati di Si con vari
dimensione del wafer da 100 mm a 200 mm. La qualità del wafer soddisfa le seguenti specifiche:
 
GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED 0
GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED 1
Siamo dedicati a fornire epiwafer GaN di alta qualità per applicazioni di potenza elettronica, RF e Micro-LED.
 
Storia • Fondata nel 2012 come epi-fonderia pura di wafer GaN
Tecnologia • Tecnologia brevettata che copre ingegneria del substrato, progettazione del buffer, regione attiva
ottimizzazione per epi-strutture di alta qualità, piatte e prive di crepe.
 
• Tutti i membri del team tecnico hanno più di 10 anni di esperienza in GaN
Capacità
• Sala pulita di classe 1000 di 3300 m2
• 200 mila pezzi all'anno per gli epiwafer GaN da 150 mm
Prodotto
Diversità
• GaN-on-Si (fino a 300 mm)
• GaN-on-SiC (fino a 150 mm)
• GaN-on-HR_Si (fino a 200 mm)
• GaN sul zaffiro (fino a 150 mm)
• GaN su GaN
IP & Qualità • ~400 brevetti depositati in Cina, Stati Uniti, Giappone ecc.
con > 100 concessi
• Licenza di circa 80 brevetti di imec
• certificato ISO9001:2015 per la progettazione e
fabbricazione di materiale GaN epi

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Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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