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Il manichino classifica sic lo spessore del wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm del substrato

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Il manichino classifica sic lo spessore del wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm del substrato

Dummy Grade Sic Substrate Wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm Thickness
Dummy Grade Sic Substrate Wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm Thickness Dummy Grade Sic Substrate Wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm Thickness Dummy Grade Sic Substrate Wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm Thickness

Grande immagine :  Il manichino classifica sic lo spessore del wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm del substrato

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: zmsh
Numero di modello: 6inch-001

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1pcs
Prezzo: by case by FOB
Imballaggi particolari: Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di singoli contenitori d
Tempi di consegna: all'interno di 40days
Capacità di alimentazione: 50pcs/months
Descrizione di prodotto dettagliata
Applicazioni: dispositivo, principale, 5G, rivelatore, elettronica di potenza Industria: wafer di semicondctor
Materiale: semiconduttore sic Colore: verde o bianco o blu
Durezza: 9,0 Tipo: 4H, 6H, verniciato, NO--verniciato,
Evidenziare:

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Diametro a 6 pollici, specificazione del substrato del carburo di silicio (sic)  
Grado Grado zero di MPD Grado di produzione Grado di ricerca Grado fittizio
Diametro 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm o 500±25un
Orientamento del wafer Fuori dall'asse: 4.0° verso< 1120=""> ±0.5° per l'asse di 4 H-N On: <0001> ±0.5° per 6H-SI/4H-SI
Piano primario {10-10} ±5.0°
Lunghezza piana primaria 47,5 mm±2.5 millimetro
Esclusione del bordo 3 millimetri
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Densità di Micropipe cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100
Resistività 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Rugosità Ra≤1 polacco nanometro
CMP Ra≤0.5 nanometro
Crepe da luce ad alta intensità Nessuno 1 conceduto, ≤2 millimetro ≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità Area cumulativa ≤1% Area cumulativa ≤2% Area cumulativa ≤5%
Aree di Polytype da luce ad alta intensità Nessuno Area≤2% cumulativo Area≤5% cumulativo
Graffi da luce ad alta intensità 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer
Chip del bordo Nessuno 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno
Contaminazione da luce ad alta intensità Nessuno
Il manichino classifica sic lo spessore del wafer 6Inch Dia150mm 4H-N 500mm del substrato 0
Poiché il cristallo di dimensione 6inch coltiva le difficoltà tecniche dei &process (avvolti e che lucidano), possiamo fornire appena il grado fittizio 6inch come prodotti comuni in 30days e le produzioni classificano ma dovendo essere riservato a 90days.
 
 
Circa la nostra società
SHANGHAI CO. COMMERCIALE FAMOSO, srl individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014.
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico custiomized ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S.
È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dai nostri buoni reputatiaons.
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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