wafer di 2inch 6H-Semi sic, substrati sic sic su misura, wafer di 2inch 6H-N, lingotti sic di cristallo, wafer del carburo di silicio
Campi di applicazione
PROPRIETÀ MATERIALI DEL CARBURO DI SILICIO
Proprietà | 4H-SiC, monocristallo | 6H-SiC, monocristallo |
Parametri della grata | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densità | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coefficiente di espansione | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 Ne = 2,66 |
nessun = 2,60 Ne = 2,65 |
Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
Conducibilità termica (Semi-isolare) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
Intervallo di banda | eV 3,23 | eV 3,02 |
Campo elettrico di ripartizione | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Velocità di deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Spec. standard.
specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro 2inch (sic) | ||||||||||
Grado | Grado zero di MPD | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | ||||||
Diametro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
Spessore | 330 μm±25μm o 430±25um | |||||||||
Orientamento del wafer | Fuori dall'asse: 4.0° verso <1120> ±0.5° per 4H-N/4H-SI sull'asse: <0001>±0.5° per 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
Densità di Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
Resistività | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Piano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Lunghezza piana primaria | 18,5 mm±2.0 millimetro | |||||||||
Lunghezza piana secondaria | 10.0mm±2.0 millimetro | |||||||||
Orientamento piano secondario | Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da ±5.0° piano principale | |||||||||
Esclusione del bordo | 1 millimetro | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
Rugosità | Ra≤1 polacco nanometro | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nanometro | ||||||||||
Crepe da luce ad alta intensità | Nessuno | 1 conceduto, ≤2 millimetro | ≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza | |||||||
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤3% | |||||||
Aree di Polytype da luce ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa ≤2% | Area cumulativa ≤5% | |||||||
Graffi da luce ad alta intensità | 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | |||||||
chip del bordo | Nessuno | 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno | 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno | |||||||
La latta di ZMKJ fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.
Imballaggio e consegna
>Imballaggio – Logistcs
interessiamo ciascuno dettagli del pacchetto, pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente! Quasi dalle singole cassette del wafer o cassetta 25pcs nella stanza di pulizia di 100 gradi.
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