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sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

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sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4inch Sic Ingot Silicon Carbide 5 - 15mm Thickness for semiconductors
4inch Sic Ingot Silicon Carbide 5 - 15mm Thickness for semiconductors

Grande immagine :  sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: zmsh
Numero di modello: Lingotto

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 500g
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: dal caso su misura
Tempi di consegna: 15days dentro
Descrizione di prodotto dettagliata
industria: substrato a semiconduttore Materiali: sic cristallo
Applicazione: 5G, materiale del dispositivo, MOCVD, elettronica di potenza Tipo: 4H-N, semi, nessun verniciati
colore: verde, blu, bianco Hardeness: 9,0 su
Evidenziare:

silicon carbide substrate

,

sic wafer

blocchetto sic sic tagliato del carburo di silicio, lingotto del grado della gemma,
di 5-15mm di spessore residuo sic 

 

Sic caratteristica del wafer

 

Proprietà 4H-SiC, monocristallo 6H-SiC, monocristallo
Parametri della grata a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Impilamento della sequenza ABCB ABCACB
Durezza di Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densità 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coefficiente di espansione 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indice @750nm di rifrazione

nessun = 2,61

Ne = 2,66

nessun = 2,60

Ne = 2,65

Costante dielettrica c~9.66 c~9.66
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conducibilità termica (Semi-isolare)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Intervallo di banda eV 3,23 eV 3,02
Campo elettrico di ripartizione 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocità di deriva di saturazione 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Proprietà fisiche & elettroniche sic del confrontato di a GaAa ed al si

  Ampia energia Bandgap (eV)

4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: Si 1,43: 1,12

Gli apparecchi elettronici formati dentro sic possono funzionare estremamente alle temperature elevate senza soffrire dagli effetti intrinsechi della conduzione a causa di ampio bandgap di energia. Inoltre, questa proprietà concede sic emettere ed individuare la luce a onde corte che fa la lavorazione dei diodi luminescenti blu e dei rivelatori fotoelettrici UV ciechi quasi solari possibili.

Campo elettrico di alta ripartizione [V/cm (per un'operazione di 1000 V)]

4H-SiC: 2,2 x 106* 6H-SiC: 2,4 x 106* GaAs: 3 x 105 si: 2,5 x 105

Sic può resistere ad una pendenza di tensione (o al campo elettrico) oltre otto volte maggior di che il si o il GaAs senza subire la ripartizione di valanga. Questo campo elettrico di alta ripartizione permette alla lavorazione dei dispositivi molto ad alta tensione e ad alta potenza quali i diodi, dei transitors di potere, dei tiristori di potere e dei limitatori di sovracorrente come pure dei dispositivi di a microonde di alto potere. Ulteriormente, permette che i dispositivi siano disposti molto vicino insieme, fornendo l'alta densità di intasamento del dispositivo per i circuiti integrati.

Alta conducibilità termica (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 si: 1,5

Sic è un conduttore termico eccellente. Il calore passerà più prontamente per sic che altri materiali a semiconduttore. Infatti, alla temperatura ambiente, sic ha un'più alta conducibilità termica che tutto il metallo. Questa proprietà permette sic ai dispositivi di funzionare estremamente ai livelli di alto potere ed ancora di dissipare un gran numero di calore in eccesso generato.

Velocità del flusso elettronico saturata livello [cm/sec (@ V/cm dei ≥ 2 x 105 di E)]

4H-SiC: 2,0 x 107 6H-SiC: 2,0 x 107 GaAs: 1,0 x 107 si: 1,0 x 107
Sic i dispositivi possono funzionare alle alte frequenze (rf e microonda) a causa della velocità del flusso elettronico saturata livello di sic.

 

Applicazioni

Dispositivi *Optoelectronic di deposito del nitruro di *III-V

Dispositivi del *High-Power * dispositivi ad alta temperatura

* dispositivi di potere di *High-Frequency di Moissanite

Come circa uso in Moissanite

Il moissanite sintetico inoltre è conosciuto come carburo di silicio dopo la sua chimica e dalla denominazione commerciale, carborundum. Nel materiale meteoritico, il moissanite è associato con i diamanti minuscoli. Moissanite è inoltre la denominazione commerciale che è usando per le nuove pietre preziose del sintetico sic.

Come simile del diamante, il moissanite artificiale è molto duro da differenziarsi dal diamante e può imbrogliare molti gemologists. Ha molte similarità. È molto duro a 9,25 (diamante è 10) ed è altamente rifrangente con un indice di rifrazione di 2,6 - 2,7 (il IR del diamante è leggermente più basso a 2,42). La maggior parte di importante, di moissanite e del diamante sono termicamente conduttivi a differenza di altri simili del diamante e purtroppo è questa proprietà che soprattutto è usata come la prova per l'autenticità dei diamanti reali. Le differenze tuttavia sono chiare ed altre prove possono essere usate per differenziare i due. In primo luogo, il moissanite è esagonale, non isometrico e quindi è da diamante dissimile doppiamente rifrangente. Un esame del attraverso--fronte di una pietra preziosa del moissanite dovrebbe mostrare i doppi bordi di sfaccettatura mentre i bordi di un diamante sono singoli nell'aspetto. Moissanite è inoltre leggermente meno denso che il diamante ed è raramente perfettamente chiaro di colore, avendo tonalità pallide di verde. I difetti naturali sono assenti nel moissanite, sostituito invece dalle strutture minuscole, artificiali, bianche, simili ad un nastro che sono un risultato del processo crescente. Il sintetico sic conosciuto come il carborundum ha visto molti usi in ceramica alta tecnologia, le componenti elettriche, gli abrasivi, i cuscinetti a sfera, semiconduttori, seghe ed armatura estremamente dure.

Il moissanite naturale è molto raro ed è meteoriti limitate del ferro-nichel ed alcuni altri igneousoccurrences ultramafici rari. Inizialmente c'erano scettici ai risultati originali della meteorite e sono stati attribuiti alle lame del carburo di silicio che possono essere utilizzate hanno visto il tipo esemplari. Ma questo è stato disputato perché il Dott. Henri Moissan non ha utilizzato le lame del carburo di silicio per preparare i campioni.

Moissanite può essere un sottoprodotto del processo dell'altoforno usato per fare il ferro. In un altoforno, gli ingredienti crudi quale minerale di ferro, carbonio (solitamente sotto forma di coke, ma altre forme quale metano possono essere usate), il calcare e gli altri prodotti chimici ed aria (usati per reagire con le impurità) sono presentati continuamente. La reazione provoca la produzione della ghisa che è rimossa come liquido mentre le impurità formano le scorie che i galleggianti alla cima ed è rimosso. I lati della fornace enorme sono relativamente freschi, mentre l'interno è molto caldo e questo crea i termini affinchè i minerali cristallizzi. Ogni pochi mesi, la fornace è svuotata in moda da potere liberare questi minerali dalle pareti della fornace. Un tale minerale è moissanite, che cristallizza prontamente dal silicio e dal carbonio dissolti nel ferro fuso. Gli a cristallo risultanti del moissanite sono quasi nero ed opaco dovuto il loro contenuto di ferro, ma possono essere abbastanza variopinti e bei, sebbene la maggior parte siano frantumati su e siano usati come abrasivi.

Ci sono parecchie fasi di sic. Il minerale originale scoperto è conosciuto ufficialmente come moissanite-6H. (6H) si riferisce alla simmetria esagonale di questa fase di moissanite. Ci sono altre due fasi riconosciute come minerali: moissanite-5H e la fase isometrica beta-moissanite.

 
2.Size del lingotto materiale
 

2"

3"

4"

6"

 

Polytype

4H/6H

4H/6H

4H/6H

4H

 

Diametro

50.80mm±0.38mm

76.2mm±0.38mm

100.0mm±0.5mm

150.0mm±0.2mm

 

       
Spessore: 5-15mm 
Forma: residuo rotto & intero lingotto 
 
3.products in dettaglio
sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori 0
 

 

FAQ:

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?

A: (1) accettiamo DHL, Fedex, SME dalla CATENA DELL'OROLOGIO.

 

Q: Come pagare?

A: T/T, in anticipo 

 

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

A: (1) per l'inventario, il MOQ è 30g.

(2) per i prodotti comuni su misura, il MOQ è 50g

 

Q: Che cosa è il termine di consegna?

A: (1) per i prodotti standard

Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.

Per i prodotti su misura: la consegna è 2 -4 settimane dopo che ordinate il contatto.

 

 
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Dettagli di contatto
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