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l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente

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l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente

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Grande immagine :  l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: 4inch--elevata purezza dei semi
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1pcs
Prezzo: by required
Imballaggi particolari: Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di singoli contenitori d
Tempi di consegna: 15 giorni
Capacità di alimentazione: 100pcs/months

l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente

descrizione
Materiale: sic cristallo Industria: wafer a semiconduttore
Applicazione: semiconduttore, principale, dispositivo, elettronica di potenza, 5G Colore: blu, verde, bianco
Tipo: 4H, 6H, HA VERNICIATO, nessuna elevata purezza verniciata e
Evidenziare:

substrato del carburo di silicio

,

sic substrato

substrati d'isolamento di purezza 4inch di Substrateshigh del carburo di silicio di elevata purezza 4H sic, substrati per i substrati a semiconduttore 4inch sic, substrati per il semconductor, wafer del monocristallo sic, sic lingotti del carburo di silicio 4inch del carburo di silicio per la gemma

 

Circa sic il cristallo

Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum /k ɑːrbəˈrʌndəm/, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Si presenta in natura come il moissanite minerale estremamente raro. La polvere sintetica del carburo di silicio è stata prodotta in serie dal 1893 per uso come abrasivo. I grani del carburo di silicio possono essere legati insieme sinterizzando per formare la ceramica molto dura che sono ampiamente usati nelle applicazioni che richiedono l'alta resistenza, quali i freni dell'automobile, le frizioni dell'automobile ed i piatti ceramici in giubbotti antiproiettili. Le applicazioni elettroniche del carburo di silicio quali i diodi a emissione luminosa (LEDs) ed i rivelatori in radio in anticipo in primo luogo sono state dimostrate verso il 1907. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o in entrambi. I grandi monocristalli del carburo di silicio possono svilupparsi con il metodo di Lely; possono essere gemme incise conosciute come moissanite sintetico. Il carburo di silicio con alta area può essere prodotto da SiO2 contenuto in materia vegetale.

 

Applicazioni dei substrati e dei wafer sic di cristallo

I crytsals del carburo di silicio (sic) hanno proprietà fisiche ed elettroniche uniche. I dispositivi basati del carburo di silicio sono stati utilizzati per i applciations optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni a onde corte. Gli apparecchi elettronici ad alta potenza ed ad alta frequenza fatti con sic sono superiori al si ed ai dispositivi basati GaAs. Sotto sono alcune applicazioni popolari sic dei substrati.

 

Deposito del nitruro di III-V

Strati epitassiali di GaN, di AlxGa1-xN e di InyGa1-yN sic sul substrato o sul substrato dello zaffiro.

L'epitassia del nitruro di gallio sic sui modelli è usata per fabbricare i diodi luminescenti blu (LED blu) ed ed i rivelatori fotoelettrici UV ciechi quasi solari

 

Dispositivi optoelettronici

I dispositivi sic basati hanno disadattamento basso della grata con gli strati epitassiali del III-nitruro. Hanno alta conducibilità termica e possono essere usati per il monitoraggio dei processi di combustione e per tutte le specie di UV-rilevazione.

a dispositivi basati a SIC a semiconduttore possono funzionare nell'ambito degli ambienti molto ostili, quali temperatura elevata, alto potere e gli alti stati di radiazione.

 

Dispositivi di alto potere

Sic ha le seguenti proprietà:

Ampia energia Bandgap

Alto campo elettrico di ripartizione

Alta velocità di deriva di saturazione

Alta conducibilità termica

Sic è usato per la lavorazione dei dispositivi molto ad alta tensione ed ad alta potenza quali i diodi, i transitors di potere ed i dispositivi di a microonde di alto potere. Confrontato ai Si-dispositivi convenzionali, a dispositivi di potere basati a SIC hanno tensioni più veloci della velocità di commutazione più alte, le resistenze parassitarie più basse, più di piccola dimensione, richiesto più di meno di raffreddamento dovuto la capacità ad alta temperatura.

Sic ha più alta conducibilità termica che il GaAs o il si che significa che sic i dispositivi possono funzionare teoricamente alle più alte densità di potenza che il GaAs o il si. Il più alta conducibilità termica si è combinata con ampio bandgap e gli alti semiconduttori di elasticità del campo critico sic un vantaggio quando l'alto potere è una caratteristica desiderabile chiave del dispositivo.

Attualmente il carburo di silicio (sic) è ampiamente usato per alto potere MMICapplications. Sic inoltre è usato come substrato per la crescita epitassiale di GaN per ancora i dispositivi di più alto potere MMIC

 

Dispositivi ad alta temperatura

Poiché sic ha un'alta conducibilità termica, sic dissipa il calore più rapidamente di altri materiali a semiconduttore. Ciò permette sic ai dispositivi di essere azionata estremamente ai livelli di alto potere ed ancora dissipa un gran numero di calore in eccesso generato dai dispositivi.

 

Dispositivi di potere ad alta frequenza

ad elettronica basata a SIC di microonda è usata per le comunicazioni ed il rad senza fili

 

2. dimensione dei substrati

Specifiche a 4 pollici del substrato del carburo di silicio del diametro 4H-semi

PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO

Grado di produzione

Grado di ricerca

Grado fittizio

Diametro

100,0 millimetro +0.0/-0.5millimetri

Orientamento di superficie

{0001} ±0.2°

Orientamento piano primario

<11->20> ̊ del ± 5,0

Orientamento piano secondario

90,0 ̊ CW dal ̊ primario del ± 5,0, silicio rivolto verso l'alto

Lunghezza piana primaria

32,5 millimetri ±2.0 millimetro

Lunghezza piana secondaria

18,0 millimetri ±2.0 millimetro

Bordo del wafer

Smusso

Densità di Micropipe

cm2 di ≤5 micropipes/

cm2del ≤10micropipes/

cm2 di ≤50 micropipes/

Aree di Polytype da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

areadel ≤10%

Resistività

≥1E7 Ω·cm

(area 75%) ≥1E7 Ω·cm

Spessore

350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm

TTV

10μm

μmdel 15

Arco (valore assoluto)

μmdel 25

μmdel 30

Filo di ordito

μmdel 45

Finitura superficia

Doppio polacco del lato, CMP del fronte di si (lucidatura chimica)

Rugosità di superficie

Fronte Ra≤0.5 nanometro di si del CMP

N/A

Crepe da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

Chip/rientranze del bordo da illuminazione diffusa

Nessuno hanno permesso

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Area utilizzabile totale

≥90%

≥80%

N/A

 

L'altra dimensione 

Specifiche a 3 pollici del substrato del carburo di silicio del diametro 4H

PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO

Grado di produzione

Grado di ricerca

Grado fittizio

Diametro

76,2 millimetri ±0.38 millimetro

Orientamento di superficie

{0001} ±0.2°

Orientamento piano primario

<11->20> ̊ del ± 5,0

Orientamento piano secondario

90,0 ̊ CW dal ̊ primario del ± 5,0, silicio rivolto verso l'alto

Lunghezza piana primaria

22,0 millimetri ±2.0 millimetro

Lunghezza piana secondaria

11,0 millimetri ±1.5mm

Bordo del wafer

Smusso

Densità di Micropipe

cm2 di ≤5 micropipes/

cm2del ≤10micropipes/

cm2 di ≤50 micropipes/

Aree di Polytype da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

areadel ≤10%

Resistività

≥1E7 Ω·cm

(area 75%) ≥1E7 Ω·cm

Spessore

350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Arco (valore assoluto)

μm ≤15

μm ≤25

Filo di ordito

μm ≤35

Finitura superficia

Doppio polacco del lato, CMP del fronte di si (lucidatura chimica)

Rugosità di superficie

Fronte Ra≤0.5 nanometro di si del CMP

N/A

Crepe da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

Chip/rientranze del bordo da illuminazione diffusa

Nessuno hanno permesso

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Area utilizzabile totale

>90%

>80%

N/A

il *The altre specifiche può essere personalizzato secondo i requisiti del cliente

 

Specifiche a 2 pollici del substrato del carburo di silicio del diametro 4H

PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO

Grado di produzione

Grado di ricerca

Grado fittizio

Diametro

50,8 millimetri ±0.38 millimetro

Orientamento di superficie

{0001} ±0.2°

Orientamento piano primario

<11->20> ̊ del ± 5,0

Orientamento piano secondario

90,0 ̊ CW dal ̊ primario del ± 5,0, silicio rivolto verso l'alto

Lunghezza piana primaria

16,0 millimetri ±1.65 millimetro

Lunghezza piana secondaria

8,0 millimetri ±1.65 millimetro

Bordo del wafer

Smusso

Densità di Micropipe

cm2 di ≤5 micropipes/

cm2del ≤10micropipes/

cm2 di ≤50 micropipes/

Aree di Polytype da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

areadel ≤10%

Resistività

≥1E7 Ω·cm

(area 75%) ≥1E7 Ω·cm

Spessore

350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Arco (valore assoluto)

μm ≤10

μm ≤15

Filo di ordito

μmdel ≤25

Finitura superficia

Doppio polacco del lato, CMP del fronte di si (lucidatura chimica)

Rugosità di superficie

Fronte Ra≤0.5 nanometro di si del CMP

N/A

Crepe da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

Chip/rientranze del bordo da illuminazione diffusa

page2image63440

Nessuno hanno permesso

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Area utilizzabile totale

≥90%

≥80%

N/A

3.pictures

 

 

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FAQ:                                                 

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?

A: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.

(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.

Il trasporto è conforme allo stabilimento reale o dalla CATENA DELL'OROLOGIO.

Q: Come pagare?

A: 100%T/T, Paypal,

 

Q: Che cosa è il vostri MOQ e termine di consegna?

A: (1) per l'inventario, il MOQ è 2pcs in 10days

(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs su in10-20days.

 

Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?

A: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, lo spessore, la dimensione, superficie.

 

Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Wang

Telefono: +8615801942596

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