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Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser
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Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Numero di modello Substrato SiC
Dettagli del prodotto
Superficie:
CMP Si-face; Mp faccia C;
Tensione di rottura:
5,5 MV/cm
Densità:
3.21 G/cm3
Conduttività termica:
4,9 W/mK
Costante dielettrica:
9,7
Resistenza:
0,015~0,028ohm.cm; Oppure >1E7ohm.cm;
Durezza superficiale:
HV0.3>2500
Drogante:
N/A
Evidenziare: 

Densità Materiali Substrato di carburo di silicio

,

Taglio laser di substrato di carburo di silicio

,

Substrato di carburo di silicio personalizzabile

Descrizione di prodotto

Carburo di silicio (SiC) Substrato 6 pollici 8 pollici Taglio laser Per la preparazione epitaxial

Descrizione del prodotto:

L'offerta completa di Coherent in wafer epitaxiali SiC non solo accelera lo sviluppo del prodotto, ma riduce notevolmente i costi di produzione e migliora le prestazioni complessive dei dispositivi.Diametri superiori a 200 mm, questi wafer sono progettati per supportare una vasta gamma di esigenze dalla ricerca e sviluppo fino alla produzione su larga scala.con o senza strati tamponeInoltre, la tecnologia di Coherent consente l'integrazione di strutture complesse come configurazioni multilivello,giunzioni p-nQuesto livello di personalizzazione assicura che i clienti possano perfezionare le proprietà del substrato per soddisfare le loro esigenze esatte,ottimizzando così la funzionalità e l'efficienza del dispositivoInoltre, l'impegno di Coherent nel sostenere i clienti dalla fase di ricerca fino alla produzione in serie dimostra un approccio di partnership solido.agevolare una transizione più agevole dal prototipo ai prodotti pronti per il mercatoQuesta soluzione olistica consente ai produttori di semiconduttori di rimanere all'avanguardia nei mercati competitivi sfruttando materiali ad alte prestazioni progettati per le tecnologie future.

Caratteristiche:

Pecificazione Valore
Nome del prodotto Substrato di SiC
Tensione di rottura 5.5 MV/cm
Resistenza alla trazione > 400 MPa
Coefficiente di espansione termica 4.5 X 10-6/K
Costante dielettrica 9.7
Superficie Si-face CMP; C-face Mp

 

Applicazioni:

I substrati di carburo di silicio (SiC), in particolare quelli con diametri più grandi come 6 pollici e 8 pollici, sono sempre più fondamentali nell'industria dei semiconduttori,specialmente per applicazioni che richiedono strati epitassialiQuesti substrati sono noti per le loro eccezionali proprietà materiali che includono elevata conduttività termica, eccellente isolamento elettrico e resistenza meccanica superiore.I substrati di SiC di diametro più grande facilitano maggiori rendimenti nella fabbricazione di dispositivi, rendendoli altamente efficienti per la produzione su larga scala.

La preparazione epiteliale sul SiC consiste nel depositare uno strato cristallino di carburo di silicio sul substrato del SiC per formare un singolo cristallo strutturalmente e chimicamente coerente.Questo processo è fondamentale per le applicazioni in elettronica di potenza e optoelettronica, in cui le prestazioni del dispositivo sono notevolmente migliorate dalla qualità dello strato epitaxiale.L'uso della tecnologia di taglio laser nella preparazione di questi substrati garantisce dimensioni precise e minimo spreco di materiale, migliorando l'efficienza complessiva del processo produttivo.

 

Personalizzazione:

  • Marchio: ZMSH
  • Numero di modello: SIC substrato
  • Luogo di origine: CINA
  • Quantità minima d'ordine: 10pc
  • Prezzo: caso per caso
  • Imballaggio: scatola di plastica personalizzata
  • Tempo di consegna: 2-4 settimane
  • Termini di pagamento: T/T
  • Capacità di approvvigionamento: 1000 pezzi al mese
  • Roverezza superficiale: Ra<0,5 nm
  • Conduttività termica: 4,9 W/mK
  • Tipo di substrato: preparazione epitaxiale
  • Disponibili piastre di taglia personalizzate: 6 pollici, 8 pollici
 

Imballaggio e trasporto:

Ogni substrato in carburo di silicio (SiC) da 6 e 8 pollici è confezionato individualmente con la massima cura per garantire la massima protezione.Il processo inizia con una pulizia e un'ispezione approfondite per garantire che siano imballati solo substrati privi di difetti.Ogni substrato viene poi avvolto in un materiale antistatico per proteggerlo da graffi e danni statici.contenitore rigido progettato per ridurre al minimo i movimenti ed evitare danni fisiciQuesto contenitore viene poi ammortizzato con schiuma o confezione a bolle all'interno di una scatola secondaria, sigillata in modo sicuro e chiaramente etichettata con le informazioni essenziali di movimentazione e contenuto.Per i substrati sensibili alle condizioni ambientali, misure come i pacchetti di silica gel vengono aggiunti per controllare l'umidità, garantendo che i substrati di SiC arrivano in condizioni ottimali, pronti per applicazioni di alta precisione nella produzione di semiconduttori.

Il prodotto costituito da un substrato di SiC sarà spedito tramite un servizio di corriere affidabile, il cui metodo di spedizione dipenderà dalla posizione e dalle preferenze del cliente.Ai clienti verrà fornito un numero di tracciamento per monitorare l'andamento della loro spedizione.I tempi di consegna variano a seconda della destinazione, ma i clienti possono aspettarsi che l'ordine arrivi entro 7-10 giorni lavorativi.

Contattici in qualunque momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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