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Sic substrato
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| Luogo di origine | La Cina |
| Marca | SICC |
| Certificazione | CE |
| Numero di modello | 4h-n |
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
Vantaggi del carburo di silicio
Durezza
Ci sono numerosi vantaggi a usando il carburo di silicio sopra i substrati di silicio più tradizionali. Uno dei vantaggi principali è la sua durezza. Ciò dà al materiale molti vantaggi, nell'alta velocità, nella temperatura elevata e/o nelle applicazioni ad alta tensione.
I wafer del carburo di silicio hanno alta conducibilità termica, che i mezzi essi possono trasferire il calore da un punto ad un altro pozzo. Ciò migliora la sue conduttività elettrica ed infine miniaturizzazione, uno degli obiettivi comuni di commutazione sic ai wafer.
Capacità termiche
Alta resistenza a shock termico. Ciò significa che hanno la capacità di cambiare le temperature rapidamente senza rompersi o fendersi. Ciò crea un chiaro vantaggio quando fabbrica i dispositivi poichè è un'altra caratteristica della durezza che migliora la vita e la prestazione del carburo di silicio rispetto a silicio in serie tradizionale.
Classificazione
I substrati del carburo di silicio sic possono essere divisi in due categorie: (4H-SEMI non--dopend e V-verniciato di elevata purezza) substrati semi-isolati del carburo di silicio con alta resistività (resistorivity ≥107Ω·cm) e substrati conduttivi del carburo di silicio con resistività bassa (la gamma di resistività è 15-30mΩ·cm).
Specificazione per i wafer di 6inch 4H-N sic.
(2inch, 3inch 4inch, sic il wafer 8inch inoltre è disponibile)
| Grado |
Produzione zero di MPD Grado (grado di Z) |
Grado di produzione standard (grado di P) |
Grado fittizio (Grado di D) |
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| 99,5 mm~100.0 millimetro | ||||
| 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
| Orientamento del wafer | ||||
| Densità di Micropipe | 4H-N | ≤0.5cm-2 | cm2 ≤2 | cm2 ≤15 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | |
| Resistività del ※ | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| Orientamento piano primario | {10-10} ±5.0° | |||
| Lunghezza piana primaria | 32,5 mm±2.0 millimetro | |||
| Lunghezza piana secondaria | 18,0 mm±2.0 millimetro | |||
| Orientamento piano secondario | Silicio rivolto verso l'alto: 90°CW. da ±5.0° piano principale | |||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
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Rugosità del ※ |
Ra≤1 polacco nanometro | |||
| CMP Ra≤0.2 nanometro | Ra≤0.5 nanometro | |||
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Crepe del bordo da luce ad alta intensità
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Nessuno | ≤ cumulativo di lunghezza 10 millimetri, singolo length≤2 millimetro | ||
| Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.1% | ||
| Aree di Polytype da luce ad alta intensità |
Nessuno | Area≤3% cumulativo | ||
| Inclusioni visive del carbonio | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤3% | ||
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Graffi della superficie del silicio da luce ad alta intensità |
Nessuno | Cumulativo len “il diametro di gth≤1×wafer | ||
| Bordo Chips High By Intensity Light | Nessuno hanno permesso la larghezza e la profondità di ≥0.2 millimetro | 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno | ||
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Contaminazione di superficie del silicio da ad alta intensità |
Nessuno | |||
| cassetta del Multi-wafer o singolo contenitore del wafer | ||||
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
Prezzo
La società di ZMSH offre il migliore prezzo sul mercato per i wafer di alta qualità sic ed i substrati sic di cristallo fino a sei (6) diametro di pollice. Le nostre garanzie di corrispondenza di politica di prezzi voi il migliore prezzo per i prodotti sic di cristallo con le specifiche comparabili. CONTATTO Stati Uniti oggi per ottenere la vostra citazione.
Personalizzazione
I prodotti sic di cristallo su misura possono essere fatti per rispondere ai requisiti particolari ed alle specifiche del cliente.
i Epi-wafer possono anche essere su ordine su richiesta.
FAQ
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: (1) accettiamo in anticipo 50% T/T ed abbiamo lasciato 50% prima della consegna da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.
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: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.
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