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Wafer di GaAs
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| Luogo di origine | La CINA |
| Marca | zmsh |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | GaAs-2inch-N-type |
Il metod 3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs cheisolano il tipo per la microelettronica, 2inch Si-Verniciare N tipa non-ha verniciato i substrati dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAas
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Wafer dell'arsenuro di gallio di GaAs)
L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V con un sistema cristallino della blenda.
L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, i circuiti integrati monolitici di a microonde, i diodi a emissione luminosa infrarossi, i diodi laser, le pile solari e le finestre ottiche. [2]
Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio, l'arsenuro di gallio di alluminio ed altri.
Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs
| Caratteristica | Campo di applicazione |
|---|---|
| Alta mobilità di elettrone | Diodi luminescenti |
| Alta frequenza | Diodi laser |
| Alta efficienza di conversione | Dispositivi fotovoltaici |
| Basso consumo energetico | Alto transistor di mobilità di elettrone |
| Intervallo di banda diretto | Transistor bipolare di Heterojunction |
Specificazione
GaAs Undoped
Specifiche d'isolamento di GaAs
| Metodo di crescita | VGF |
| Dopant | Carbonio |
| Wafer Shape* | Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6") |
| Orientamento di superficie ** | (100) ±0.5° |
» Wafer *5 disponibili su richiesta
** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta
| Resistività (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilità (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diametro del wafer (millimetri) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Spessore (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| FILO DI ORDITO (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DI (millimetri) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | TACCA |
| DI/SE (millimetri) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
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(1) per i prodotti standard quali la lente della palla, la lente di powell e la lente del collimatore:
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
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(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-20pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.
Imballaggio – Logistcs
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