Grado fittizio del grado di produzione del substrato di 4H-N 4H-SEMI 2inch 3inch 4inch 6Inch sic per i dispositivi ad alta potenza
Substrati del carburo di silicio di elevata purezza di H, substrati di elevata purezza 4inch sic, substrati per il semiconduttore, substrati per il semconductor, wafer di monocristallo sic, sic lingotti del carburo di silicio 4inch del carburo di silicio per la gemma
Campi di applicazione
1 diodo Schottky di alto potere ed ad alta frequenza degli apparecchi elettronici, JFET, BJT, PiN, diodi, IGBT, MOSFET
2 dispositivi optoelettronici: pricipalmente utilizzato in GaN/nel materiale sic blu del substrato del LED (GaN/sic) LED
advantagement
• Disadattamento basso della grata
• Alta conducibilità termica
• Basso consumo energetico
• Caratteristiche transitorie eccellenti
• Alto intervallo di banda
Carborundum sic di cristallo del wafer del substrato del carburo di silicio
PROPRIETÀ MATERIALI DEL CARBURO DI SILICIO
Proprietà | 4H-SiC, monocristallo | 6H-SiC, monocristallo |
Parametri della grata | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densità | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coefficiente di espansione | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 Ne = 2,66 |
nessun = 2,60 Ne = 2,65 |
Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
Conducibilità termica (Semi-isolare) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
Intervallo di banda | eV 3,23 | eV 3,02 |
Campo elettrico di ripartizione | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Velocità di deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2. i substrati graduano della norma per 6inch
Specifiche a 6 pollici del substrato del carburo di silicio di &Semi del diametro 4H-N | ||||||||
PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | Grado zero | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | ||||
Diametro | 150 mm-0.05 millimetro | |||||||
Orientamento di superficie | fuori asse: 4°toward <11-20> ± 0.5° per 4H-N
Sull'asse: <0001> ±0.5°for 4H-SI |
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Orientamento piano primario |
{10-10} ±5.0° per la tacca 4H-N/per 4H-Semi |
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Lunghezza piana primaria | 47,5 millimetri di ± 2,5 millimetri | |||||||
Spessore 4H-N | STD 350±25um o 500±25um customzied | |||||||
Spessore 4H-SEMI | 500±25um STD | |||||||
Bordo del wafer | Smusso | |||||||
Densità di Micropipe per 4H-N | <0> | cm2 di ≤2micropipes/ | cm2 di ≤10 micropipes/ |
cm2 di ≤15 micropipes/
|
||||
Densità di Micropipe per 4H-SEMI | <1 micropipes=""> | cm2 di ≤5micropipes/ | cm2 di ≤10 micropipes/ | cm2 di ≤20 micropipes/ | ||||
Aree di Polytype da luce ad alta intensità | Nessuno hanno permesso | area di ≤10% | ||||||
Resistività per 4H-N | 0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | (area 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm | ||||||
Resistività per 4H-SEMI |
≥1E9 Ω·cm |
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LTV/TTV/BOW/WARP |
≤3 μm/≤6 μ m/≤30 μm/≤40 μ m. |
≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μ m. |
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Piatti della sfortuna da Ligh ad alta intensità |
Area cumulativa ≤0.05% |
Area cumulativa ≤0.1% |
||||||
Contaminazione di superficie del silicio da luce ad alta intensità |
NESSUNO |
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Inclusioni visive del carbonio
|
Area cumulativa ≤0.05% |
≤ cumulativo3%di area |
Aree di Polytype da luce ad alta intensità
|
NESSUNO |
Area≤3% cumulativo |
Campione di consegna
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