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wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si
  • wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si
  • wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

Luogo di origine La Cina
Marca zmkj
Numero di modello 4inch AlN
Dettagli del prodotto
Materiale:
AlN sul wafer
Metodo:
HVPE
Dimensione:
4inch
Spessore:
430+15um o 650um
Industria:
LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore,
Superficie:
lato doppio o singolo lucidato
Evidenziare: 

substrato gan

,

modello gan

Descrizione di prodotto

wafer del modello di AlN del nitruro di gallio 2inch, 4inch su zaffiro o sic substrati, wafer del nitruro di gallio di HVPE, modelli di AlN 

  1. III-nitruro (GaN, AlN, locanda)

Copertura severa di larghezza di banda (luminescente ed assorbimento) l'ultravioletto, la luce visibile e l'infrarosso.

Prodotto  Film del nitruro di alluminio (AlN)
Descrizione di prodotto: AllN Epitxial ha proposto il metodo di modello di (HVPE) di epitassia di fase di vapore dell'idruro del saphhire. Il film del nitruro di alluminio è inoltre modo redditizio sostituire il substrato del monocristallo del nitruro di alluminio. Del ramo del cristallo benvenuto francamente la vostra indagine!
Parametri tecnici:
Dimensione ± 2mm di 50mm
Orientamento del substrato dello zaffiro ± 1.0deg di c-asse (0001)
Macro densità di difetto <5cm-2>
Area disponibile 90%
Trattamento di superficie prima Come sviluppato Epi-pronto
Contenitore Singolo chip

 

Specifiche:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 «x1mm;

Può essere personalizzato secondo l'orientamento e la dimensione speciali della domanda di cliente.

Imballaggio di norma: borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola
 

 wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si 0
 
GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si 1
 
 
Specifiche:

  4" modelli di AlN di dimensione 2-4inch approvazione anche
Oggetto AlN-T
Dimensioni Ф 100±0.3mm
Substrato Zaffiro, sic, GaN
Spessore 1000nm+/- 10% (spessore di AlN)
Orientamento ± 1° di C-asse (0001)
Tipo di conduzione Semi-isolamento
Densità di dislocazione XRD FWHM di (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM di (10-12) < 1000="" arcsec="">
Area utilizzabile > 80%
Polacco Norma: SSP
Opzione: DSP
Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto. o singole cassette.

Altro gradua 5x5mm secondo la misura aslike, 10x10mm, 2inch, 3inch anche può essere personalizzato. 

 

Circa il nostro gruppo

    ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina,

e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014, ma nel materiale a semiconduttore,

abbia la buona esperienza per quasi 10years.
   Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati ed il vetro ottico custiomized parts.components ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S.
     È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dai nostri buoni reputatiaons.


wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si 2

 

Contattici in qualunque momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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