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Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro
  • Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro
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Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

Luogo di origine La Cina
Marca zmkj
Numero di modello 2inch AlN
Dettagli del prodotto
Materiale:
AlN sul wafer
Metodo:
HVPE
Dimensione:
2 pollici
spessore:
430+15um
Industria:
LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore,
Superficie:
DSP
Evidenziare: 

modello gan

,

modello del aln

Descrizione di prodotto

modello di 2inch AlN su zaffiro o sic sui substrati, wafer del nitruro di gallio di HVPE, substrati di AlN su GaN

Modello di 2INCH AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

 

Offriamo i substrati monocristallini di AlN sul modello dello zaffiro dell'c-aereo, che ha chiamato il wafer di AlN o il modello di AlN, per il LED UV, i dispositivi a semiconduttore e la crescita epitassiale di AlGaN. Il nostri epi-pronti, substrati di AlN dell'C-aereo hanno buon XRD FWHM o densità di dislocazione. Lo spessore disponibile proviene da 30nm a 5um.
I nostri substrati del nitruro di alluminio di monocristallo con la dislocazione bassa ha ampiamente applicazione: compreso il LED, i rivelatori UV, finestre dei cercatori di IR, crescita epitassiale dei III-nitruri, laser, transistor di rf e l'altro dispositivo a semiconduttore.

La larghezza di banda severa (luminescente ed assorbimento) riguarda la luce e l'infrarosso ultravioletti e visibili.
Il modello di AlN è utilizzato per lo sviluppo delle strutture del HEMT, diodi di traforo sonori e

dispositivi acoustoelectronic

 Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro 0


Specifiche:

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro 1

 

  2" modelli di AlN  
Oggetto AlN-T
Dimensioni Ф 2"
Substrato Zaffiro, sic, GaN
Spessore 1000nm+/- 10%
Orientamento ± 1° di C-asse (0001)
Tipo di conduzione Semi-isolamento
Densità di dislocazione XRD FWHM di (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM di (10-12) < 1000="" arcsec="">
Area utilizzabile > 80%
Lucidatura Norma: SSP
Opzione: DSP
Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto.
FAQ

Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?

: È generalmente dei 5-10 giorni se le merci sono in azione. o è dei 15-20 giorni se le merci non sono in azione,

è secondo la quantità.

Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?

: Sì, siamo spiacenti per quello che offriamo il campione in carica dalla CATENA DELL'OROLOGIO.

 

Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?

: Payment=1000USD<>, 30% T/T in anticipo,

equilibrio prima della spedizione.
Se avete altra domanda, i pls si sentono libero per contattarci come qui sotto:

 

Etichette:

modello gan,

substrato gan,

modello del aln

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