modello dei substrati di 2inch GaN, wafer per LeD, wafer semiconduttore per il ld, modello di GaN, wafer di GaN del nitruro di gallio di mocvd GaN,
Copertura severa di larghezza di banda del III-nitruro (GaN, AlN, locanda) (luminescente ed assorbimento) l'ultravioletto,
la luce visibile e infrared.GaN possono essere utilizzati in molte aree quale l'esposizione di LED, rilevazione ad alta energia
e rappresentazione, esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
Specifiche:
2" modelli di GaN
Oggetto |
GaN-T-N |
GaN-T-S |
Dimensioni |
Ф 2" |
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Spessore |
15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 |
30 μm, μm 90 |
Orientamento |
± 1° di C-asse (0001) |
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Tipo di conduzione |
N tipo |
Semi-isolamento |
Resistività (300K) |
< 0="">Ω·cm |
>106 Ω·cm |
Densità di dislocazione |
Di meno che cm2 1x108 |
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Struttura del substrato |
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Area utilizzabile |
> 90% |
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Polacco |
Norma: Opzione di SSP: DSP |
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Pacchetto |
Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto. |
- FAQ –
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