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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template for led
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Grande immagine :  2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: GaN-modelli

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5pc
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singola cassa del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 2-quattro settimane
Termini di pagamento: L / C, T / T
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: Epi di GaN sul trasportatore dello zaffiro Metodo: HVPE
Dimensione: 2inch Spessore: 430um
Industria: LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore, Superficie: singolo lato lucidato
Evidenziare:

gan substrate

,

gan template

modello dei substrati di 2inch GaN, wafer per LeD, wafer semiconduttore per il ld, modello di GaN, wafer di GaN del nitruro di gallio di mocvd GaN,

Specifiche di GaN/dispositivi speciali:

  1. Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale fatto molto duro che ha un sistema cristallino del solfuro di zinco e probabilmente è il materiale più importante a semiconduttore come il materiale dei semi della terza generazione.
  2.  Può essere usato per emettere la luce brillante sotto forma di diodi luminescenti (LED) e di diodi laser come pure essere il materiale chiave per alta frequenza della prossima generazione, transistor di alto potere capaci di funzionamento alle temperature elevate.
  3. GaN ha basato il wafer epitassiale (zaffiro, sic) che i wafer epitassiali si sviluppano con il metodo di MOCVD o di MBE, uno strato o le strutture a più strati sui substrati dello zaffiro, diametro fino ad a 4 pollici.

Copertura severa di larghezza di banda del III-nitruro (GaN, AlN, locanda) (luminescente ed assorbimento) l'ultravioletto,

la luce visibile e infrared.GaN possono essere utilizzati in molte aree quale l'esposizione di LED, rilevazione ad alta energia

e rappresentazione, esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.

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Specifiche:
 

2" modelli di GaN

 

 Oggetto

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

Dimensioni

Ф 2"

 Spessore

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

 Orientamento

± 1° di C-asse (0001)

Tipo di conduzione

N tipo

Semi-isolamento

 Resistività (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 Densità di dislocazione

Di meno che cm2 1x108

Struttura del substrato

 
GaN spesso 430um o 330um su zaffiro (0001)

 

 Area utilizzabile

> 90%

Polacco

Norma: Opzione di SSP: DSP

 Pacchetto

Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto.

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- FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, il TNT, UPS, lo SME, SF dalla CATENA DELL'OROLOGIO.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quale il wafer di 2inch 0.33mm.
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.
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