substrati di 2inch GaAs, wafer di GaAs per principale, wafer di cristallo dell'arsenuro di gallio, wafer di GaAs del dopant di Si/Zn (composto di A degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V con un sistema cristallino della blenda)
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Applicazione:
1. Pricipalmente utilizzato nell'elettronica, la bassa temperatura unisce in lega, arsenuro di gallio.
2. Il composto chimico primario di gallio nell'elettronica, è utilizzato nei circuiti di a microonde, nei circuiti ad alta velocità di commutazione e nei circuiti infrarossi.
3. Il nitruro di gallio ed il nitruro di gallio dell'indio, dato che gli usi a semiconduttore, producono i diodi a emissione luminosa blu e viola (LEDs) ed i laser a diodi.
Specificazione
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Parametro |
Valori garantiti/reali | UOM | |
| Metodo di crescita: | VGF | ||
| Tipo di comportamento: | PECCATO | ||
| Dopant: | Undoped | ||
| Diametro: | 50.8± 0,1 | millimetro | |
| Orientamento: | ± 0,50 (di 100) | ||
| Di posizione/lunghezza: | ± 0,50/16±1 di EJ [0-1-1] | ||
| SE posizione/lunghezza: | ± 0,50/7±1 di EJ [0-1 1] | ||
| Resistività: | Min: 1,0 E8 | Massimo: 2,2 E8 | Ω·cm |
| Mobilità: | >2000 | cm2/v.s | |
| EPD: | <1500 | / cm2 | |
| Spessore: | 350± 20 | µm | |
| Arrotondamento del bordo: | 0,25 | mmR | |
| Marcatura del laser: | N/A | ||
| TTV/TIR: | Massimo: 10 | µm | |
| ARCO: | Massimo: 10 | µm | |
| Filo di ordito: | Massimo: 10 | µm | |
| Conteggio di Partical: | <50/wafer(perlaparticella >0.3um) | ||
| Parte anteriore superficia di finitura: | Lucidato | ||
| Finitura superficia – posteriore: | Inciso | ||
| Epi-pronto: |
Sì |
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| Parametro | I requisiti del cliente | Valori garantiti/reali | UOM | ||
| Metodo di crescita: | VGF | VGF | |||
| Tipo di comportamento: | S-C-P | S-C-P | |||
| Dopant: | GaAs-Zn | GaAs-Zn | |||
| Diametro: | 50.8± 0,4 | 50.8± 0,4 | millimetro | ||
| Orientamento: | ± 0,50 (di 100) | ± 0,50 (di 100) | |||
| Di posizione/lunghezza: | ± 0,50/16±1 di EJ [0-1-1] | ± 0,50/16±1 di EJ [0-1-1] | |||
| SE posizione/lunghezza: | ± 0,50/7±1 di EJ [0-1 1] | ± 0,50/7±1 di EJ [0-1 1] | |||
| Lingotto cc: | Min: 1 E19 | Massimo: 5 E19 | Min: 1,4 E19 | Massimo: 1,9 E19 | /cm 3 |
| Resistività: | Min: N/A | Massimo: N/A | Min: N/A | Massimo: N/A | Ω·cm |
| Mobilità: | Min: N/A | Massimo: N/A | Min: N/A | Massimo: N/A | cm2/v.s |
| EPD: | Massimo: 5000 | Min: 600 | Massimo: 700 | / cm2 | |
| Spessore: | 350±25 | 350±25 | µm | ||
| Parte anteriore superficia di finitura: | Lucidato | Lucidato | |||
| Finitura superficia – posteriore: | Inciso | Inciso | |||
| Epi-pronto: |
Sì |
Sì |
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FAQ –
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