| Proprietà | 4H-SiC, monocristallo | 6H-SiC, monocristallo |
| Parametri della grata | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
| Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densità | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coefficiente di espansione | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 Ne = 2,66 |
nessun = 2,60 Ne = 2,65 |
| Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
| ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| Conducibilità termica (Semi-isolare) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Intervallo di banda | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elettrico di ripartizione | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocità di deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
| Specificazione a 6 pollici del substrato del carburo di silicio del diametro (sic) |
| Grado | Grado di Z | Grado di P | Grado della R | Grado di D | |
| MPD ZERO | Produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | ||
| Diametro | 150mm±0.5 millimetro | ||||
| Spessore | 350 μm±25μm o 500±25um o dalla dimensione su misura | ||||
| Orientamento del wafer | Fuori dall'asse: 4.0° verso <1120> ±0.5° per 4H-N | ||||
| Densità di Micropipe | ≤1cm-2 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |
| Resistività | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 Ω·cm | ||||
| Piano primario | {10-10} ±5.0° | ||||
| Lunghezza piana primaria | 47.5mm±2.5 millimetro | ||||
| Esclusione del bordo | 3mm | ||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | ||||
| Rugosità | Ra≤1 polacco nanometro | ||||
| CMP Ra≤0.5 nanometro | |||||
| Nessuno | Nessuno | 1 conceduto, ≤1 millimetro | |||
| Crepe da luce ad alta intensità | |||||
| Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità | Area≤ cumulativo 1% | Area≤ cumulativo 1% | Area≤ cumulativo 3% | ||
| Nessuno | Area≤ cumulativo 2% | Area≤5% cumulativo | |||
| Aree di Polytype da luce ad alta intensità | |||||
| 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 8 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | |||
| Graffi da luce ad alta intensità | |||||
| Chip del bordo | Nessuno | 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno | 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno | ||
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Nessuno | ||||
FAQ:
Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?
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Per i prodotti su misura: la consegna è 2 -4 settimane dopo che ordinate il contatto.
Q: Avete prodotti standard?
A: I nostri prodotti standard in azione. come come i substrati 4inch 0.35mm.
I nostri prodotti sono venduti in tutto il mondo. Puoi stare certo dell'intero processo dei nostri prodotti.
